利用原位TEM等技术可以获得材料形貌和结构实时发生的变化，上海如微观结构的转化或者化学组分的改变。

氢管e−0.2V和−0.5V时噪声电流与频率的关系。通过分析不同带隙和电子阻挡层(EBL)的铅锡基PPDs的暗电流与温度的关系，道全作者发现EBLs在消除电子注入的同时，道全促进了EBLs-钙钛矿界面的非期望热电荷产生。

线贯在反向偏压(−0.5V)下测量的噪声电流与不同EBL-钙钛矿组合的PPDs暗电流密度的关系。【小结】对于几种窄带隙和中带隙PPDs，上海实验的暗电流值超过了理论本征电流多个数量级，上海从而排除了在没有注入电流的情况下，钙钛矿大部分的热电荷产生是暗电流的主要原因。近年来，氢管人们致力于最小化钙钛矿薄膜光电二极管中的暗电流。

文献链接：道全Ultralowdarkcurrentinnear-infraredperovskitephotodiodesbyreducingchargeinjectionandinterfacialchargegeneration.2021,NatureCommunications,DOI:10.1038/s41467-021-27565-1.本文由纳米小白供稿欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，道全投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。线贯图3.EBL的EHOMO对暗电流的影响。

虽然测量的暗电流随着能垒高度的增加而降低，上海但这种下降并不符合热电子激发模型。

总的来说，氢管这些因素增加了暗电流和器件噪声电流水平，从而限制了特定探测率。道全图5四种HOIDPs((CH3NH3)2AgAlBr6,(CH3NH3)2AgGaBr6,(CH3NH3)2AglnABr6和(CH2NH6)2AglnBr6)的光子能量吸收谱。

线贯然后利用结构稳定的条件筛选出结构不稳定的候选材料。然而，上海由于真实世界中化学空间的大尺度以及材料本身的复杂性严重阻碍了其效率。

c)GBR模型的R2、氢管MSE和MAE值随所选特征个数的变化。此外，道全多目标筛选可以有效提高筛选效率，且目标数量不受限制。